SI4100DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6.8 А, 100 В

108,90 ₽

Артикул: 13466ac15be7 Категория:

      Описание

      SI4100DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6.8 А, 100 В The SI4100DY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.

      • 100% UIS tested
      • Halogen-free
      • -55 to 150 C Operating temperature range

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Бренд

      VISHAY
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      8вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      SOIC
      Рассеиваемая Мощность

      6Вт
      Полярность Транзистора

      N Канал
      Напряжение Истока-стока Vds

      100В
      Непрерывный Ток Стока

      6.8А
      Наименование

      SI4100DY-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 6.8 А, 100 В, 0.051 Ом, 10 В, 2 В