PSMN8R2-80YS,115, МОП-транзистор, N Канал, 82 А, 80 В

89,10 

Артикул: 1f303096fa7b Категория:

Описание

PSMN8R2-80YS,115, МОП-транзистор, N Канал, 82 А, 80 В The PSMN8R2-80YS is a N-channel standard level MOSFET with advanced TrenchMOS technology provides low RDS (ON) and low gate charge. It is designed and qualified for use in a wide range of DC-to-DC convertor, lithium-ion battery protection, load switching, server power supplies and domestic equipment applications.

• Improved mechanical and thermal characteristics
• High efficiency gains in switching power converters
• LFPAK provides maximum power density in a power SO8 package
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Детали
Бренд

NEXPERIA

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-669

Рассеиваемая Мощность

130Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

80В

Непрерывный Ток Стока

82А

Наименование

PSMN8R2-80YS,115, МОП-транзистор, N Канал, 82 А, 80 В, 0.0058 Ом, 10 В, 3 В